场效应管（JFET）是一种最基本的半导体三极管，其测量技术也是电子学中最重要的一部分。场效应管的主要原理是，通过在半导体材料中引入不纯物质，控制材料内部的电子数目来控制电流流动的情况。通过常用的源极、栅极、漏极三种端子的引线，将半导体材料内的电子流动情况传输到外部，实现电流的控制。
场效应管的测量通常使用万用表进行；对于较高精度的测量，则需要应用如电桥和电源计。在测量时，首先需要按照电路图所示连接各个测试仪器和场效应管。接下来，使用电桥来测量场效应管的输入电阻，这时输入电压为零，电阻值即为场效应管的输入电阻。接下来，对于不同类型的场效应管，可以应用不同的测量方法进行测量——如增益测量、漏电流测量等。
通过场效应管的测量，我们可以得到场效应管的基本特性参数，如输入输出特性曲线、增益、漏电流等。这些参数非常重要，在实际应用中可以帮助我们更好地设计和优化各类电子电路。
图为粉色垃圾桶，来自：Unsplash
如何正确地进行场效应管测量
场效应管，也被称为MOS管，是一种电子元器件，常用于放大、开关电路和射频应用中。由于其在很多电子设备中的重要作用，掌握它的测量方法是值得投入时间和精力的。以下是关于场效应管测量的一些基本准则。
选择恰当的仪器和设备
要正确地进行场效应管的测量，首先需要选择适当的测试设备。这样才能保证实验结果的准确性。典型的测量设备包括数字万用表、信号发生器和示波器。
正确的测试顺序
在对场效应管进行测量时，需要按照正确的顺序进行测试。该顺序包括：离散或集成电路内部电阻；极间电容；漏电阻；栅间电容；漏电流。
了解场效应管参数
最后，需要对场效应管的参数进行了解。这些参数包括：漏极电容，栅极电容，栅极--漏极容量，截止频率，等效电路电阻和电平平移电压。对这些参数的了解将使您在选择适当的测试设备和测试顺序方面更加有把握。
了解场效应管测量技术
场效应管（Field Effect Transistor，简称FET）是一种常用的电子器件，用于放大电信号、构建逻辑门和模拟运算等应用中。场效应管测量技术是指对场效应管进行电性能测试和参数测量的方法与技术。
在场效应管测量中，常用的测试参数包括漏源极电流（ID）、栅极源电压（VGS）、漏源极电压（VDS）等。这些参数的精确测量有助于评估场效应管的性能指标，例如增益、截止频率和线性度等。
场效应管测量技术广泛应用于集成电路设计、半导体器件制造和电子设备维修等领域。不同的场效应管类型（如MOSFET、JFET和IGBT等）对于测量方法和原理也有所区别。
在测量过程中，常用的仪器设备包括数字万用表、示波器、电源和参数分析仪等。通过合理选择仪器和测量方法，可以准确得到场效应管的电性能参数。